GaAs ELECTRICAL CIRCUIT DEVICES WITH LANGMUIR-BLODGETT INSULATOR LAYER.

摘要

Dans la structure de circuit GaAs décrite une couche de Langmuir-Blodgett (L-B) est interposée entre le substrat et un contact conducteur. L'épaisseur de la couche est réglée pour déterminer les caractéristiques de fonctionnement du dispositif. La couche L-B permet à la fois d'augmenter la hauteur de la barrière de la porte pour un transistor à effet de champ et de passiver les liaisons balantes et les défauts de surface dans le substrat GaAs pour permettre un fonctionnement en mode inverse. Des dispositis à diode et des transistors à effet de champ spécifiques sont décrits.