| 发明名称 |
HIGH-OXYGEN-CONTENT SILICON MONOCRYSTAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND PRODUCTION METHOD THEREFOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2182262(B) |
申请公布日期 |
1989.09.27 |
| 申请号 |
GB19860026074 |
申请日期 |
1986.10.31 |
| 申请人 |
* SONY CORPORATION |
发明人 |
TOSHIHIKO * SUZUKI;YASABURO * KATO;MOTONOBU * FUTAGAMI |
| 分类号 |
C30B29/06;C30B15/00;C30B15/20;C30B15/30;H01L21/18;H01L21/208;H01L21/322 |
主分类号 |
C30B29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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