发明名称 多层陶瓷线路板和半导体组件
摘要 一种由陶瓷层和布线导体层交替层迭组成的多层陶瓷线路板,陶瓷层有较布线导体层低的热膨胀系数,但不低于导体层热膨胀系数的一半,陶瓷层由软化温度不高于布线导体层熔点的玻璃形成。以及一种半导体组件,该组件的焊料接合部分有高的可靠性,它包括上述装着陶瓷载体基片的多层陶瓷线路板(陶瓷基片上装有半导体器件)和能用具有良好电导率的银或铜导体做的板。
申请公布号 CN1005241B 申请公布日期 1989.09.20
申请号 CN87104031.X 申请日期 1987.06.05
申请人 株式会社日立制作所 发明人 牛房信之;篠原浩一;永山更成;荻原觉;曾我太佑男
分类号 H05K3/46;H05K1/03;C04B35/14;B32B18/00 主分类号 H05K3/46
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人 王以平
主权项 1.一种由陶瓷层和布线导体层交替层迭组成的多层陶瓷线路板,其中,布线导体层由低阻导电材料构成,陶瓷层由SiO2和玻璃形成,其特征在于:陶瓷层中SiO2的含量基本为20-85%,玻璃是从下列材料中选出的一种材料构成的:25%或更少的Al2O3、1-25%的MgO、50%或更少的B2O3、15-25%的ZnO、10-25%的CaO、2-20%的Li2O、10%或更少的K2O、50-60%的AlPO4、25-35%的Y2O3、5%或更少的P2O5、5%或更少的ZrO2、5%或更少的CaF2、6%或更少的AlN、5%或更少的CS2O,以及5%或更少的V2O5,其中百分比均为重量比;其软化温度不高于布线导体层的熔点,其热膨胀系数比布线导体层的低,但不低于布线导体层的热膨胀系数的一半,低导电材料为由金、银或铜中选出的一种金属。
地址 日本东京