| 发明名称 |
MESFET device formed on a semi-insulative substrate |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4868920(A) |
申请公布日期 |
1989.09.19 |
| 申请号 |
US19880172443 |
申请日期 |
1988.03.24 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
INOUE, KAZUHIKO;SUGA, TORU |
| 分类号 |
H01L29/41;H01L21/338;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L29/41 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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