| 发明名称 |
Ashing process of a resist layer formed on a substrate under fabrication to a semiconductor device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4861424(A) |
申请公布日期 |
1989.08.29 |
| 申请号 |
US19880234134 |
申请日期 |
1988.08.19 |
| 申请人 |
FUJITSU LIMITED |
发明人 |
FUJIMURA, SHUZO;KONNO, JUNICHI |
| 分类号 |
H01L21/302;G03F7/42;H01L21/027;H01L21/30;H01L21/3065;H01L21/311 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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