| 发明名称 |
MOS semiconductor integrated circuit in which the production of hot carriers near the drain of a short n channel conductivity type MOS transistor is decreased |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4857763(A) |
申请公布日期 |
1989.08.15 |
| 申请号 |
US19880140493 |
申请日期 |
1988.01.06 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
SAKURAI, TAKAYASU;IIZUKA, TETSUYA |
| 分类号 |
H01L27/092;G11C5/14;G11C7/10;G11C7/22;G11C8/08;G11C11/407;G11C11/409;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L29/00;H03K17/687;H03K19/00;H03K19/003;H03K19/094;H03K19/0944;H03K19/0948;H03K19/0952 |
主分类号 |
H01L27/092 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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