发明名称 ETCHING METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPH01196832(A) 申请公布日期 1989.08.08
申请号 JP19880021367 申请日期 1988.02.02
申请人 TOSHIBA CORP 发明人 SATO MITSUO
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
主权项
地址
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