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发明名称 SEMICONDUCTOR PHOTO-DETECTOR HAVING A TWO-STEPPED IMPURITY PROFILE
摘要
申请公布号 EP0216572(A3) 申请公布日期 1989.07.19
申请号 EP19860306984 申请日期 1986.09.10
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 KURODA, FUMIHIKO C/O PATENT DIVISION;SADAMASA, TETSUO C/O PATENT DIVISION;SUZUKI, NOBUO C/O PATENT DIVISION;NAKAMURA, MASARU C/O PATENT DIVISION
分类号 H01L21/265;H01L31/105;H01L31/107;(IPC1-7):H01L31/10 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
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