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Procédé de réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction, notamment en arséniure de gallium, comprenant la formation de couches épitaxiales superposées pour réaliser une couche collecteur 1 de type n**+, une couche émetteur 3 de type n, la formation d'implantations localisées de type p**+ pour réaliser la région de base 31, 30, ou de type n**+ pour réaliser des caissons de contact collecteur 20. Ce procédé incluant aussi la réalisation, par une gravure contrôlée dans une couche de germanium 50 formée en surface de ces couches, de plots présentant un profil tel que leurs sommets délimitent avec une très haute précision des ouvertures E1 dont la distance E0 entre les bords définit la région de contact d'émetteur, et que leurs flancs présentent une concavité tournée vers l'extérieur du dispositif.Application : circuits intégrés sur arséniure de gallium.
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