发明名称 METHOD OF APPLYING A CONTACT TO A CONTACT AREA FOR A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 EP0216945(B1) 申请公布日期 1989.07.05
申请号 EP19850111972 申请日期 1985.09.21
申请人 DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GMBH;ITT INDUSTRIES INC. 发明人 BLOSSFELD, LOTHAR, DIPL.-PHYS.
分类号 H01L29/78;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/331;H01L21/768;H01L29/73;H01L29/732 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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