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L'invention concerne un procédé permettant de graver, avec un bon rendement de fabrication, un réseau de diffraction sur un matériau semi-conducteur, en particulier pour constituer un réseau distribué sur une structure guidante. Il consiste successivement à : - déposer, par épitaxie, sur un substrat S, une couche 11 de confinement optique, constituée d'un premier matériau semi-conducteur; - déposer, par épitaxie, une couche active 12 constituée d'un deuxième matériau semi-conducteur; - déposer, par épitaxie, une couche d'arrêt 13 constituée d'un troisième matériau semi-conducteur; - déposer, par épitaxie, une couche guidante 14 constituée d'un quatrième matériau semi-conducteur; - déposer une couche de résine photosensible, et la découper selon une forme à donner au réseau de diffraction qui est à réaliser; - attaquer la couche guidante 14, au moyen d'un agent chimique sélectif qui n'attaque pas le matériau de la couche d'arrêt 13, ni la résine, en le laissant agir jusqu'à ce que toute épaisseur de la couche guidante 14 ait été traversée, cette épaisseur étant choisie égale à la profondeur souhaitée pour le réseau de diffraction.Application à l'optique intégrée.
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