| 主权项 |
l﹒一种用来组合可容纳半导体装置的封装之方法其步骤包括:提供一基质构件:提供一顶盖构件;提供一由降伏强度大约小于9OKsi之可析出硬化且可玻璃密封的合金所制成之引线框,此引线框且有很多向外延伸之接脚;提供一密封玻璃,其热膨胀系数与引线框的热膨涨系数非常接近;在基质构件的表面和顶盖构件的表面上涂敷密封玻璃,并当引线框的降伏强度仍大约小于90Ksi时将引线框之接脚弯曲;将引线框置于具有玻璃涂层之基质表面上;加热引线框和基质的组件,使引线框结合在基质上;将半导体装置电气连接至引线框;将顶盖构件置于引线框和基质组件上;以及加热基质、引线框和顶盖构件之组件,而以玻璃密封此封装,在玻璃密封步骤之后,引线框的降伏强度大约高于95Ksi。2.如申请专利范围第l项之方法,其中合金存加热步骤之前的确伏强度大约是70至9OKsi,而于加热步骤后之降伏强度大约是95至130Ksi。3﹒如申请专利范围第2项之方法,其中引线框的最小弯曲半径大约小于It以下,其中t为引线框厚度。4﹒如申请专利范围第3项之方法,包含从可析出硬化之铜合金集团中选择可析出硬化之铜合金集团具有含铍之铜合金,含镁一铅一铬的铜合金、含镍一磷的铜合金以及铜一镍一鍚的可析出硬化节点合金。5﹒如申请专利范围第4项之方法,包含选择可析出硬化铜台金之步骤,而使其基本上由大约10%至卜%份重的镍、大约1%至3%份重的铝以及剩余为铜所构成。6.如申请专利范围第4项之方法,包含从金属、合金、陶瓷、陶金、陶瓷一玻璃和陶瓷一玻璃一金店组合物集团中选择基质构件和顶盖构件材料之步骤。7.如申请专利范围第4项之方法,其中可析出硬化约合金以及基质和顶盖构件的材料具有大约140 至180Xl0 in./in/℃之热膨胀系数。8﹒如申请专利范围第l项之方法所制成的产品o9.如申请专利范围第4项之方法所制成的产品。10﹒一种用来组合可容纳半导体装置的封装之方法,其步骤包括:提供一基质;提供一顶盖构件;提供一由降伏强度大约小于9OKsi之可析出硬化且司玻璃密封的合金制所制成之引线框,此引线框且有很多向外延伸之接脚;提供一密封环;提供一密封玻璃,其热膨涨系数相当接近引线框的热膨涨系数:在基质构件的表面和密封环的第一表面上涂敷密封玻璃;将引线框的降伏强度大约小于9OKsi时将其接脚弯曲;将引线框置于具有涂层之基质表面与密封环表面之间;加热线框置于具有涂层之基质表面与密封环表面之间;加热引线框、基质构件和密封环的组件,而以玻璃密封此封装,在玻璃密封步骤之后,引线框的降伏强度大约高于乃95K将半导体装置电气连接引线框;以及将顶对构件置于密封环的第二表面上,并将顶对构件结合于密封环上,以使封装被密封起来。11﹒如申请专利范围第l0项之方法,其中可析出硬化合金在加热步骤之前的降伏强度大约是70至90Ksi,而于加热步骤之后的降伏强度大约是95至130Ksi。12.如申请专利范围第10项之方法,包含从可析出硬化之铜合金集团中选择可析出硬化合金之步骤,可析出硬化之铜合金集团具有含铍之铜合金、含镁、锆、铬的铜合金、含镍一磷的铜合金、铜一镍一锡的可析出硬化节点合金;播散强化的铜合金以及沃斯田铁不锈钢。13﹒如申请专利范围第12项之方法,包含选择可析出硬化铜合金之步骤,而使其基本上由大约10%至15%份重的镍、大约1%至3%份重的铝以及剩余为铜所构成。14.如申请专利范围第12项之方法,包含从金属、合金、淘金、陶瓷、陶瓷一玻璃和陶瓷一玻璃一金属组合物集团中选择基质构件、顶盖构件和密封环材料之步骤。15.如申请专利范围第1O项之方法所制成的产品。16.如申请专利范围第12项之方法所制成的产品。图示简单说明:图I为根据本发明之观念制成的密封半导体封装之切面图。图2为根据本发明之观念制成的密封窗框型半导体封装之切面图。 |
