发明名称 Process for the growth of III-V group compound semiconductor crystal on a Si substrate
摘要
申请公布号 US4840921(A) 申请公布日期 1989.06.20
申请号 US19880213940 申请日期 1988.06.30
申请人 NEC CORPORATION 发明人 MATSUMOTO, TAKASHI
分类号 C30B25/02 主分类号 C30B25/02
代理机构 代理人
主权项
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