| 摘要 |
L'invention concerne une structure à circuit intégré qui émule la caractéristique de rupture de polarisation inverse d'une diode Zener. Elle est particulièrement appropriée à la fabrication de transistors à effet de champ de type MESFET à l'arséniure de gallium, pour lesquels des dispositifs de type Zener satisfaisants ne sont pas disponibles autrement. Des diodes enfouies dos-à-dos sont formées par implantation d'une couche enfouie de dopage d'une polarité dans un substrat semi-isolant, puis en implantant une paire de régions de contact espacées de polarités opposées mais ayant des niveaux de dopage supérieurs de la couche enfouie vers la surface du substrat. L'action de la diode s'effectue au niveau des jonctions des régions de contact et de la couche enfouie. Le dispositif fonctionne de manière symétrique, présentant une rupture abrupte au niveau d'un seuil de tension défini. Des énergies et des concentrations d'implantation spécifique pour une couche enfouie dopée avec des ions Be+ et des régions de contact dopées avec des ions Si+ sont décrites. Dans un autre mode de réalisation, une seule région de contact possède une polarité opposée à la couche enfouie, ce qui a pour résultat une seule diode enfouie. |
