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Bei einer dreidimensionalen 1-Transistorzellenanordnung für dynamische Halbleiterspeicher, bei der der Kondensator für die zu speichernden Ladungen als Grabenkondensator (trench capacitor) im Substrat (1) ausgebildet ist und durch eine Isolationsschicht (7) getrennt unterhalb des Auswahltransistors mit isolierter Gateelektrode (14, 15) angeordnet und mit dessen Source/Drainzone (16a) elektrisch leitend verbunden ist und bei der die Source/Drainzonen (16a, 16b) des Auswahltransistors in einer, über der Isolationsschicht (7) aufgebrachten rekristallisierten Siliziumschicht (8) enthalten sind, wird der elektrisch leitende Kontakt (11) zum Kondensator (1, 4, 5) durch eine im oberen Teil des Grabens (2) in das Substrat (1) eingebrachte asymmetrische Grabenerweiterung (3), die mit gleichdotiertem polykristallinem Silizium (5) wie im Graben (2) aufgefüllt ist, gebildet und die Source/Drainzonen (16a, 16b) in der rekristallisierten Siliziumschicht (8) durch Ionenimplantation (9) so erzeugt, daß die Sourcezone (16a) den elektrisch leitenden Kontakt (11) in der asymmetrischen Grabenerweiterung (3) überlappt. Durch diese Speicherzellenanordnung wird eine sehr kompakte Speicherzelle mit einer Fläche von weniger als 3 µm² durch einfache Prozeßschritte ermöglicht; die Erfindung kann angewandt werden bei der Herstellung von 64 Megabit-DRAMs.
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