电子器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件制造方法，其中至少包括一步是形成被刻图形的层，该层可以是导电金属层，透明导电层和不透明导电层的或反射的得叠层，或非单晶半导体层；另一步是用波长为400毫微米或更短的激光束在绘有图形层部分刻出图形，这些层可以是刻有图形的导电金属层，刻有图形的透明导电层和非透明的或反射导电层的重叠层，或刻有图形的非单晶半导体层。本发明的优点在于形成的刻有图形层上没有任何缺陷。

主权项

1.一种用于切割薄膜的激光切割方法，包括的步骤：在基片上形成一层待刻制图形的薄膜层部分；从准分子激光器发射激光射线束；其特征是只在一个方向上收缩上述激光射线束，产生一扁平的线性激光束，其波长小于400nm；将上述收缩的激光射线束在薄膜的一条线上聚焦；用升华法除去上述聚焦线上的薄膜。