| 主权项 |
1.一种空白光罩的制造方法,系为在一透明基板上 具有形成有一图案之一薄膜的方法,其特征在于当 该薄膜溅镀成膜之际,一靶面面向重力方向而朝向 下方,且该基板表面朝向上方,且于该基板之周边 部受遮蔽部分上不成膜。2.一种空白光罩的制造 方法,系为在一透明基板上具有形成有一图案之一 薄膜的方法,且该薄膜系置于一交流电磁控溅镀装 置之一真空槽内部,且该真空槽内部至少具有一溅 镀环形靶、安装该溅镀环形靶之一磁控阴极管、 配置于面向该溅镀环形靶之一基板托架、以及设 置于该真空槽内壁上的一屏蔽,该方法之特征在于 将该靶之一靶面配置成面向重力方向而朝向下方, 并使用具有减少在该靶上之一未溅镀区域及该屏 蔽面上成膜之一机构的装置进行制造。3.如申请 专利范围第2项所述之空白光罩的制造方法,其中 前述减少在该靶上之该未溅镀区域上成膜的机构 系为用该磁控阴极管作为一全面侵蚀阴极管的机 构、遮蔽该靶上之该未溅镀区域的机构、或将该 靶上该未溅镀部份的表面粗糙化的机构。4.如申 请专利范围第3项所述之空白光罩的制造方法,其 中前述减少在该靶上之该未溅镀区域上成膜的机 构更包括于该靶之一角部的一曲面上,将该靶端面 粗糙化的机构。5.如申请专利范围第2项所述之空 白光罩的制造方法,其中前述减少在该屏蔽面上成 膜的机构系将该屏蔽保持于一定温度下,且至少在 该靶附近的一屏蔽位置上利用由下式(i)所得之一 相对膜形成速度t在该基板上之位置上的値不大于 所设计之该屏蔽形状的机构。 t=Cos1Sin(1-2)/r2 (i) (于式(i)中,r系为该靶中心与该屏蔽位置之间的距 离,1系为该靶中心至该屏蔽位置之一连线与该 靶面之一法线之间所夹的角度,2为该靶面之该 法线与该屏蔽面之间所夹的角度,t为r与1所定义 的该屏蔽位置上之该相对膜形成速度)6.如申请专 利范围第5项所述之空白光罩的制造方法,其中前 述减少在该屏蔽面上成膜的机构更包括于该屏蔽 之角部的曲面上,将该屏蔽表面粗糙化,且于该靶 面之上部配置有一接地屏蔽的机构。7.如申请专 利范围第2项所述之空白光罩的制造方法,更包括 安装该靶的一支持板,且将该支持板面粗糙化。8. 如申请专利范围第2项所述之空白光罩的制造方法 ,更包括一遮蔽板,用以防止该基板的周边部成膜 。9.一种空白光罩,系使用选自于申请专利范围第1 -8项其中之一所述之空白光罩的制造方法进行制 造。10.一种空白光罩,系为在一透明基板上具有形 成有一图案之一薄膜的一结构,该空白光罩特征在 于当使用该空白光罩之际,该空白光罩上内径尺寸 至少与一曝光波长略相等之复数个大内径微粒与 复数个大内径针孔之合计系为每一平方公分0.1个 以下。11.一种空白光罩,系为在一透明基板上具有 形成有一图案之一薄膜的一结构,该空白光罩特征 在于当使用该空白的光罩之际,使用中心波长为193 nm或更短波长的一曝光波长时,内径大于0.2m之复 数个微粒与复数个针孔之合计系为每一平方公分0 .1个以下。12.如申请专利范围第10项或第11项所述 之空白光罩,其中形成有该图案之该薄膜包括一半 透光膜,且该空白光罩包括一空白半色调型相位移 式光罩。13.一种空白光罩的制造装置,系用以进行 选自于申请专利范围第1-8项其中之一所述之制造 方法。14.一种光罩,系藉由将申请专利范围第9项 所述之空白光罩上之薄膜图案化而制造得到。15. 一种图案转写方法,系使用如申请专利范围第14项 所述之光罩进行图案转写。16.一种光罩,系藉由将 选自于申请专利范围第10-11项其中之一所述之空 白光罩上之薄膜图案化而制造得到。17.一种图案 转写方法,系使用如申请专利范围第16项所述之光 罩进行图案转写。18.一种光罩,系藉由将申请专利 范围第12项所述之空白光罩上之薄膜图案化而制 造得到。19.一种图案转写方法,系使用如申请专利 范围第18项所述之光罩进行图案转写。图式简单 说明: 第1图所示为用以对本发明之一较佳实施例之对策 地点之交流电磁控溅镀装置的局部模式图。 第2图所示为用以对本发明之一较佳实施例之对策 地点之交流电磁控溅镀装置的局部模式图。 第3图所示为本发明之一较佳实施例所使用之交流 电磁控溅镀装置之一实例的模式图。 第4A图至第4C图所示为用以说明半色调型相位移光 罩之转写原理的示意图。 |
