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发明名称
Implantation of ions into an insulating layer to increase planar pn junction breakdown voltage
摘要
申请公布号
US4827324(A)
申请公布日期
1989.05.02
申请号
US19860927882
申请日期
1986.11.06
申请人
SILICONIX INCORPORATED
发明人
BLANCHARD, RICHARD A.
分类号
H01L21/316;H01L21/3115;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/34
主分类号
H01L21/316
代理机构
代理人
主权项
地址
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