| 发明名称 | 磁阻效应元件,磁头和磁记录/再现设备 | ||
| 摘要 | 一种磁阻效应元件，包括：固定磁化层；自由磁化层；其设置在所述固定磁化层和所述自由磁化层之间的非磁性隔离；和设置在所述自由磁化层背向所述非磁性中间层的一侧上的插入层，其中，第一绝缘层具有包含选自由Al(铝)、Si(硅)、Mg(镁)、Ta(钽)和Zn(锌)构成的组中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物作为主要成分，以及，所述插入层具有包含选自由Al(铝)、Si(硅)、Mg(镁)、Ta(钽)和Zn(锌)构成的组中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物作为主要成分。 | ||
| 申请公布号 | CN101026221A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN200710078832.5 | 申请日期 | 2007.02.16 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 藤庆彦;福泽英明;汤浅裕美;岩崎仁志 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01);G11B5/39(2006.01);H01F10/26(2006.01);H01F10/32(2006.01) | 主分类号 | H01L43/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种磁阻效应元件，包括：固定磁化层，其磁化方向实际上固定在一个方向上；自由磁化层，其磁化方向根据外部磁场发生变化；非磁性隔离层，其设置在所述固定磁化层和所述自由磁化层之间，并包括第一绝缘层，和贯穿第一绝缘层的第一电流通道；和插入层，其设置在所述自由磁化层背向所述非磁性隔离层的一侧上，其中，所述第一绝缘层具有包含选自由Al(铝)、Si(硅)、Mg(镁)、Ta(钽)和Zn(锌)构成的组中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物作为主要成分，以及，所述插入层具有包含选自由Al(铝)、Si(硅)、Mg(镁)、Ta(钽)和Zn(锌)构成的组中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物作为主要成分。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||