| 发明名称 | 去除镁合金材料上的涂层的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于去除形成于镁合金材料上的涂层的方法，该方法包含物理去除步骤和化学去除步骤。在物理去除步骤中，涂层通过刀具或采用湿法清理的方法部分地去除该涂层，然后，通过将该镁合金材料浸入到一碱性分离剂中使该涂层剥离。 | ||
| 申请公布号 | CN100343401C | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN03158050.5 | 申请日期 | 2003.09.04 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 木村浩一;西井耕太 |
| 分类号 | C22B7/00(2006.01);C22B26/22(2006.01);B24C1/00(2006.01);C23G1/22(2006.01);B08B3/08(2006.01);B08B1/00(2006.01) | 主分类号 | C22B7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤;楼仙英 |
| 主权项 | 1.一种去除形成于镁合金材料上的涂层的方法，其特征在于，该方法包含：部分去除步骤，物理地部分去除该涂层；以及第一化学去除步骤，通过在该涂层上应用第一碱性分离剂从而使该涂层剥离，该第一碱性分离剂含有一碱金属的氢氧化物或碱土金属；其中，该部分去除步骤是通过刀具或采用湿法清理的方法在该涂层上形成切口而进行的。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||