| 发明名称 | GaN单晶衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在GaAs衬底(2)上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗(10)的屏蔽层(8)，和外延层生成工序，在屏蔽层(8)上，生长由GaN构成的外延层(12)。 | ||
| 申请公布号 | CN100344004C | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200410044554.8 | 申请日期 | 1998.10.29 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 元木健作;冈久拓司;松本直树 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01S5/323(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L29/02(2006.01);H01L27/04(2006.01);C30B25/02(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1.一种GaN单晶衬底，包括：具有相互隔离配置的多个开口窗的屏蔽层；和由GaN构成同时在所述屏蔽层上层叠的外延层，所述屏蔽层是SiO2、Si3N4或SiN的任何一个，其特征在于，在没有形成所述外延层的所述屏蔽层的一侧，包括：过渡层和在该过渡层与所述屏蔽层之间形成的下层外延层，所述过渡层是GaN或AlN之一，所述下层外延层是GaN。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||