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发明名称
MANUFACTURE OF HIGH BREAKDOWN VOLTAGE MOS SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号
JPH0199260(A)
申请公布日期
1989.04.18
申请号
JP19870257761
申请日期
1987.10.13
申请人
SEIKO EPSON CORP
发明人
MOROZUMI YUKIO
分类号
H01L29/78;H01L21/336
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
主权项
地址
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