| 摘要 |
게이트 길이 방향에 대해 수평으로 복수개의 트렌치를 형성함으로써 단위면적당 게이트 폭을 증대시키는 고구동 능력 가로형 MOS 에 있어서, 소자 면적을 증가시키지 않고 추가로 구동 능력을 향상시키기 위해서, 반도체 기판 표면으로부터 일정한 깊이로 형성된 고저항 제 1 도전형 반도체의 웰 영역과, 상기 웰 영역의 표면으로부터 도중의 깊이까지 도달하는 복수개의 트렌치와, 상기 트렌치가 형성하는 요철부의 표면에 형성된 게이트 절연막과, 상기 트렌치 내부에 매설된 게이트 전극과 상기 트렌치 양단 부근을 제외한 상기 요철부 영역에 있어서 상기 트렌치 내부에 매설된 게이트 전극과 접촉하여 기판 표면에 형성된 게이트 전극막과, 상기 게이트 전극막과 접촉하여 상기 트렌치 양단 부근의 트렌치 내부에 반도체 기판 표면보다 깊은 위치에 표면이 위치하도록 매설된 게이트 전극막과, 상기 게이트 전극막과 접촉되어 있지 않은 반도체면으로부터 상기 웰 영역의 깊이보다 얕게 형성된 2 개의 저저항 제 2 도전형 반도체층인 소스 영역과 드레인 영역을 갖는 반도체 장치로 하였다. |
