发明名称 FORMATION OF GAAS EPITAXIAL LAYER
摘要
申请公布号 JPS6490518(A) 申请公布日期 1989.04.07
申请号 JP19870248433 申请日期 1987.10.01
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP 发明人 KATO MARI
分类号 H01L21/20;H01L21/324 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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