Halbleitervorrichtung, integrierte Schaltung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

摘要

Eine Halbleitervorrichtung (1) weist einen Transistor (5) in einem Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Hauptoberfläche (110) auf. Der Transistor (5) weist ein Sourcegebiet (201), ein Draingebiet (205), ein Kanalgebiet (220), eine Driftzone (260) und eine zu mindestens zwei Seiten des Kanalgebiets (220) benachbarte Gateelektrode (210) auf. Die Gateelektrode (210) ist in Gategräben (213), welche sich in einer ersten Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche (110) erstrecken, angeordnet. Die Gateelektrode (210) ist mit einem Gateanschluss (273) elektrisch gekoppelt. Das Kanalgebiet (220) und die Driftzone (260) sind entlang der ersten Richtung zwischen dem Sourcegebiet (201) und dem Draingebiet (205) angeordnet. Die Halbleitervorrichtung (1) weist ferner eine leitende und von der Gateelektrode (210) isolierte Schicht (270) unterhalb der Gateelektrode (210) auf. Die leitende Schicht (270) ist mit dem Gateanschluss (273) elektrisch verbunden.