| 发明名称 |
Contact strip structure for bipolar transistors. |
| 摘要 |
Eine Anschlußstreifenstruktur für Bipolar-Transistoren, bei der im Basisbereich (A) Anschlußstreifen (E, B) angeordnet sind, soll so geändert werden, daß die Rückwirkungskapazität und/oder der Basis-Bahnwiderstand verringert wird. Wenigstens ein Anschlußstreifen (E, B) reicht in mindestens einer Richtung über die Isolationsberandung, die den Basisbereich (A) begrenzt, hinweg.
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| 申请公布号 |
EP0309784(A1) |
申请公布日期 |
1989.04.05 |
| 申请号 |
EP19880114537 |
申请日期 |
1988.09.06 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN |
发明人 |
DATHE, JOACHIM, DIPL.-PHYS.;REICHERT, HANSJORG, DR., DIPL.-PHYS.;SCHARF, LUDWIG, DIPL.-PHYS. |
| 分类号 |
H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;(IPC1-7):H01L29/52;H01L29/60 |
主分类号 |
H01L29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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