| 发明名称 |
FORMATION OF MOS STRUCTURE ELEMENT FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS6477168(A) |
申请公布日期 |
1989.03.23 |
| 申请号 |
JP19880199843 |
申请日期 |
1988.08.12 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
NIINO KAORU;NAKAGOME YOSHIYUKI;KOTABA TAKESHI |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/331;H01L21/822;H01L21/8222;H01L27/06;H01L29/72;H01L29/73;H01L29/732 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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