Temperature threshold detection circuit.

摘要

On réalise un circuit de détection de seuil de température en mesurant le courant inverse de saturation d'un transistor (1) soumis à la température à mesurer. On montre que pour des températures proches de la température ambiante la sensibilité de ce détecteur est très grande. Par ailleurs, en réalisant un circuit (1,7,11) de mesure des variations relatives du courant inverse de saturation, on réalise un détecteur de température qui est indépendant de la dispersion des caractéristiques résultant des tolérances de fabrication des circuits intégrés.Ce circuit est particulièrement destiné à être implanté sur un même substrat qu'un circuit mémoire de type à points mémoires muni de transistor à grille flottante.