| 发明名称 |
STRUTTURA DI ISOLAMENTO IN DISPOSITIVI MOS E PROCEDIMENTO DI PREPARAZIONE DELLA STESSA |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
IT1200725(B) |
申请公布日期 |
1989.01.27 |
| 申请号 |
IT19850021994 |
申请日期 |
1985.08.28 |
| 申请人 |
SGS MICROELETTRONICA S.P.A. |
发明人 |
RAVAGLIA ANDREA |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/308;H01L21/32;H01L21/762;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
