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发明名称
半导体存贮器
摘要
本实用新型属于一种半导体存贮器元件。它是在PN结的P极和N极上安装了阻隔层。当将信号电压反偏接至PN结上时,利用PN结的反向导通或截止,就可以知道PN结记录的信号电压是“1”或“0”。当清“0”电压通过阻隔层以电场的形式作用于PN结,就能够消除PN结所记录的信号。本实用新型适用于计算机、数控技术及自动仪表等场合。
申请公布号
CN2030761U
申请公布日期
1989.01.11
申请号
CN87213293.5
申请日期
1987.09.06
申请人
李庆华
发明人
李庆华
分类号
H01L29/40;H01L29/66
主分类号
H01L29/40
代理机构
代理人
主权项
一种在p-n结(1)的p极和n极上分别安装了至少一个电极(4)的半导体器件,其特征是至少在所述p-n结(1)的其中一极上安装了带电极(3)的阻隔层(2),使得当电极(3)接上一个方向由p-n结(1)的n极指向p极的电压时,已经反向导通的p-n结(1)能够在电压消失后恢复至平衡p-n结状态。
地址
广西壮族自治区梧州市糖果厂
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