动态随机存取存储单元及其制造方法

摘要

在半导体基片20内形成一条沟槽，该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板34，基片20用作该电容器的另一极板，沟槽的其余部分随后填有二氧化硅38，随后在二氧化硅上蚀刻图形，露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板，随后在多晶硅电容器极板和该基片之间形成接触50，通过氧化形成栅极绝缘体，漏极在与沟槽开口相邻的沟槽表面形成，随后在沟槽开孔部分内形成导电材料54，由此形成把存储电容器之一连接至漏极区24的晶体管。

主权项

1、一种形成存储单元的方法，包括： 在基片中形成沟槽， 用介电材料覆盖所述的沟槽的表面， 用导电材料填入所述的沟槽， 蚀刻所述的导电材料使导电材料的高度降低到所述的沟槽之内， 用绝缘材料填满所述沟槽的其余部份， 在所述的沟槽开口处形成掺杂漏极区， 产生露出所述沟槽一部分边缘的蚀刻掩膜， 采用非均匀蚀刻工艺蚀刻所述的绝缘材料直至所述的导电材料， 在基片中形成源极区，所述源极区和所述的导电材料有电气接触， 在由所述的进入绝缘材料的蚀刻所暴露出的沟槽的侧壁部分上形成栅极绝缘层，以及， 用栅极导电材料填充所提供的开孔，以提供控制所述的源极区和所述的漏极区之间导通的栅极。