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发明名称 METHOD OF FORMING RECESS IN SILICON SUBSTRATE BY ETCHING
摘要
申请公布号 JPS63280424(A) 申请公布日期 1988.11.17
申请号 JP19880090461 申请日期 1988.04.14
申请人 BBC AG BROWN BOVERI & CIE 发明人 YAN FUOBORIRU
分类号 H01L21/306;H01L21/308 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
主权项
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