| 摘要 |
<p>Un mandrin de serrage électrostatique pour tranches de semi-conducteur (10) utilise au moins trois électrodes (12, 13, 14). Deux électrodes (13, 14), qui définissent une surface sensiblement plane et qui sont incorporées dans une fine pellicule diélectrique (11), sont respectivement excitées par une source de courant alternatif à basse fréquence (15, 16, 17, 18, 23), de façon à produire des champs d'ondes sinusoïdales d'amplitude et de phase régulées, créant ainsi une faible tension sur la surface des tranches. Une troisième électrode (12) sert d'électrode écran ou de point de référence pour les deux autres électrodes (13, 14). En outre, en régulant les vitesses d'application et de retrait de la tension, on obtient des gradients de tension faibles sur la tranche (10) et aucune force de retenue ne se développe dans le support diélectrique (11). Une excitation à amplitude de courant alternatif faible du mandrin permet la détection par courant capacitif des positions relatives de la tranche (10) et du film diélectrique (11), permettant ainsi une régulation simple de l'application de la tension sur les deux électrodes (13, 14).</p> |
