| 发明名称 | 用粘土原料制备碳化硅晶须及其方法 | ||
| 摘要 | 用粘土原料作硅源，采用(粘土+碳黑混合层)+碳黑层分层工艺，在非氧化性气氛下，于1350℃～1600℃加热，能够制备碳化硅晶须，晶须长10～200μm，直径0.1～2μm，非晶须状碳化硅含量小于20％，利用这种制备方法可以进行碳化硅晶须的大规模工业化生产，高Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>含量的副产品可作为其它工业部门的原材料。 | ||
| 申请公布号 | CN88102366A | 申请公布日期 | 1988.11.09 |
| 申请号 | CN88102366 | 申请日期 | 1988.04.20 |
| 申请人 | 武汉工业大学 | 发明人 | 周毅;李凝芳 |
| 分类号 | C04B14/38;C04B14/32 | 主分类号 | C04B14/38 |
| 代理机构 | 湖北省专利事务所 | 代理人 | 王玉华 |
| 主权项 | 1、一种制备碳化硅晶须的方法，其特征在于用粘土原料作为硅源，碳黑作为碳源，采用(粘土+碳黑混合层)(a层)+碳黑层(b层)的分层工艺，装填在容器内，在非氧化性气氛下，于1350～1600℃加热2～6小时，在粘土+碳黑混合层中得到高Al2O3含量的残留层，晶须层与残留层易于分层。 | ||
| 地址 | 湖北省武汉市武昌珞狮路14号 | ||