QUANTUM WELL LASER WITH CHARGE CARRIER DENSITY ENHANCEMENT.

摘要

Un laser résonant (20) à puits de quanta comprend sur un côté ou sur les deux côtés du puits de quanta (22) des barrières semiconductrices incorporées (26) afin d'augmenter la densité de la charge dans le puits de quanta. La composition des couches d'injection (24) peut être adaptée de sorte que l'énergie des porteurs électrisés dans les couches d'injection ait environ le niveau d'énergie de résonance caractéristique pour ce type de porteur électrisé dans le puits de quanta. Les couches formant barrière (26) d'un ou des deux côtés du puits de quanta (22) augmentent la probabilité d'un séjour plus long des porteurs électrisés dans le puits de quanta et de leur déplacement sur une plus grande distance, en augmentant les chances de diffusion. Les porteurs électrisés, électrons ou lacunes, peuvent passer de leur niveau respectif d'injection (24) à des niveaux d'énergie presque identiques à l'intérieur du puits de quanta (22) en traversant les minces barrières (26). On augmente ainsi le nombre de porteurs disponibles pour transfert au niveau d'énergie de laser, en améliorant l'efficacité du laser et en réduisant son courant de seuil.