发明名称 多栅极薄膜晶体管
摘要 有着独立控制电子和空穴注入电荷迁移层的薄膜晶体管。控制是通过面对每个电子和空穴注入极的栅极来实现的。所述各注入极同电荷迁移层邻接并被横向隔开跨过一个电荷迁移层的沟道区以使各自的载流子以相反的方向穿过电荷迁移层。
申请公布号 CN88100903A 申请公布日期 1988.08.31
申请号 CN88100903 申请日期 1988.02.17
申请人 施乐公司 发明人 马尔科姆·詹姆斯·汤普森
分类号 H01L29/40;H01L29/78 主分类号 H01L29/40
代理机构 中国专利代理有限公司 代理人 吴增勇;吴秉芬
主权项 1、一种薄膜晶体管,其特征在于包括: -一电荷迁移层, -一个同所述电荷迁移层邻接的电子注入电极, -一个同所述电荷迁移层邻接的空穴注入电极, -所述电子注入极和空穴注入极的相对的侧面彼此横向相隔一个第一距离,所述第一距离限定了所述电荷迁移层的沟道区, -一个电介质层,其一侧同所述电荷迁移层的对边邻接并基本上同所述电荷迁移层的整个横向范围共同延伸,以及 -第一和第二控制极的每一个均同所述两注入极之一成相对关系设置,以使所述各控制极的各相对侧面彼此横向地基本上相隔所述第一间距,所述控制极与所述电荷迁移层被一介质层所隔开,所述控制极和所述注入极的各相对表面被隔开一个显著小于所述第一间距的第二间距,从而可有选择地将电子和空穴注入所述电荷迁移层并使其各沿着彼此相反的方向穿过所述沟道区。
地址 美国纽约州