| 发明名称 |
EEPROM MEMORY CELL WITH SINGLE POLYCRYSTALLINE SILICON LAYER WHICH IS PROGRAMMABLE AND ERASABLE FOR EVERY BIT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS63166274(A) |
申请公布日期 |
1988.07.09 |
| 申请号 |
JP19870317644 |
申请日期 |
1987.12.17 |
| 申请人 |
SGS MICROELETTRONICA SPA |
发明人 |
PAORO JIUSETSUPE KATSUPERETSUTEI;JIUSETSUPE KORUDA;KARURO RIIBA |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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