摘要 |
<P>UNE MEMOIRE VIVE DYNAMIQUE UTILISE UNE POLARISATION SELECTIVE POUR DES CAISSONS P 64 QUI CONTIENNENT DES RESEAUX DE CELLULES DE MEMORISATION, ET DES CAISSONS PN COMPLEMENTAIRES 62, 66 QUI CONTIENNENT DES CIRCUITS DE COMMANDE PERIPHERIQUES CMOS. UN POTENTIEL DE MASSE EST APPLIQUE AUX CAISSONS CONTENANT LES RESEAUX DE CELLULES DE MEMORISATION, TANDIS QU'UN POTENTIEL PRODUIT PAR UN GENERATEUR DE POLARISATION INVERSE EST APPLIQUE AUX CAISSONS COMPLEMENTAIRES CONTENANT LES CIRCUITS DE COMMANDE PERIPHERIQUES, POUR AMELIORER LES MARGES POUR LES SIGNAUX ET LES PERFORMANCES ELECTRIQUES DES CIRCUITS DE COMMANDE. LES CAISSONS CONTENANT LES RESEAUX DE MEMORISATION ET CEUX CONTENANT LES CIRCUITS PERIPHERIQUES SONT MUTUELLEMENT ISOLES ELECTRIQUEMENT, DE FACON QUE LE BRUIT DU GENERATEUR DE POLARISATION INVERSE NE PERTURBE PAS LE FONCTIONNEMENT DES RESEAUX DE MEMORISATION.</P>
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