发明名称 MEMOIRE VIVE DYNAMIQUE AVEC POLARISATION SELECTIVE DE CAISSONS D'IMPURETES
摘要 <P>UNE MEMOIRE VIVE DYNAMIQUE UTILISE UNE POLARISATION SELECTIVE POUR DES CAISSONS P 64 QUI CONTIENNENT DES RESEAUX DE CELLULES DE MEMORISATION, ET DES CAISSONS PN COMPLEMENTAIRES 62, 66 QUI CONTIENNENT DES CIRCUITS DE COMMANDE PERIPHERIQUES CMOS. UN POTENTIEL DE MASSE EST APPLIQUE AUX CAISSONS CONTENANT LES RESEAUX DE CELLULES DE MEMORISATION, TANDIS QU'UN POTENTIEL PRODUIT PAR UN GENERATEUR DE POLARISATION INVERSE EST APPLIQUE AUX CAISSONS COMPLEMENTAIRES CONTENANT LES CIRCUITS DE COMMANDE PERIPHERIQUES, POUR AMELIORER LES MARGES POUR LES SIGNAUX ET LES PERFORMANCES ELECTRIQUES DES CIRCUITS DE COMMANDE. LES CAISSONS CONTENANT LES RESEAUX DE MEMORISATION ET CEUX CONTENANT LES CIRCUITS PERIPHERIQUES SONT MUTUELLEMENT ISOLES ELECTRIQUEMENT, DE FACON QUE LE BRUIT DU GENERATEUR DE POLARISATION INVERSE NE PERTURBE PAS LE FONCTIONNEMENT DES RESEAUX DE MEMORISATION.</P>
申请公布号 FR2609351(A1) 申请公布日期 1988.07.08
申请号 FR19880000058 申请日期 1988.01.06
申请人 SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC 发明人 DAEJE CHIN
分类号 G11C11/4074;H01L27/108;(IPC1-7):G11C11/40 主分类号 G11C11/4074
代理机构 代理人
主权项
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