<p>Die Erfindung betrifft einen monolithisch integrierten Photoempfänger bestehend aus mindestens einer PIN-Photodiode mit angekoppeltem Wellenleiter und zumindest einem HEMT. Die Heterostruktur des Photoempfängers ist derart aufgebaut, daß die Halbleiterschichten des Wellenleiters Bestandteil der PIN-Photodiode sind.</p>
