| 摘要 |
On obtient un capteur à transistor à effet de champ (FET) sélectif aux ions en recouvrant la surface d'un film d'isolation de porte (14) d'un transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET) avec une couche conductrice (15) composée d'une couche de carbone conducteur, d'un oxyde métallique tel que de l'oxyde d'iridium ou de l'oxyde d'indium, ou un métal tel que du platine, de l'argent ou du palladium, en recouvrant la surface résultante d'une couche oxydante/réductrice (16) et enfin d'une couche sélective aux ions . Le capteur FET sélectif aux ions produit présente une vitesse de réaction élevée, est pratiquement insensible à la lumière et demeure stable longtemps. |
