| 摘要 |
<p>Bei integrierten Halbleiter-Schaltungen mit Mehrlagenverdrahtung, bei der die in dem Halbleiter-Körper realisierten Schaltungselemente (2a,2b,2c) durch Leiterbahnen miteinander verbunden sind, die in mindestens zwei übereinanderliegenden, jeweils durch (eine) isolierende Schicht(en) voneinander getrennte, Ebenen verlaufen können zwischen den Schaltungselementen (2b,2c) und den oberhalb von ihnen verlaufenden Leiterbahnen (4a,4b,4c) unerwünschte Kopplungen auftreten. Diese störenden Kopplungen werden dadurch vermieden, daß Leiterbahnen (3) einer unteren Verdrahtungsebene in Lage und Form so ausgebildet und an ein solches Potential angelegt sind, daß sie eine Abschirmung zwischen unter ihnen liegenden Schaltungselementen (2b,2c) und einer oder mehreren Leiterbahnen (4a,4b,4c) in einer oberen Verdrahtungsebene bilden.</p> |
