发明名称 METHOD FOR FABRICATING DEVICES USING CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, AND DEVICES FORMED THEREBY.
摘要 Procédé pour fabriquer un dispositif, par exemple un dispositif à semiconducteur, dans lequel on fait réagir au moins deux substances réactives afin de produire un matériau contenant du métal (par exemple 130 et 140; 150) dans une région ou des régions d'un substrat traité ou non traité. Le procédé tient compte du fait que l'une des substances réactives réagira souvent avec un matériau du substrat pour donner des résultats inattendus et très peu souhaitables, par exemple l'érosion presque totale d'éléments du dispositif qui ont déjà été réalisés. Par conséquent le procédé prévoit l'utilisation de l'une quelconque d'un ensemble de techniques afin de réduire la vitesse de réaction entre le matériau du substrat et la substance qui réagit avec celle-ci, tout en évitant une réduction substantielle de la vitesse de réaction entre les deux substances.
申请公布号 EP0268654(A1) 申请公布日期 1988.06.01
申请号 EP19870903799 申请日期 1987.05.27
申请人 AT&T CORP. 发明人 GALLAGHER, PATRICK, KENT;GREEN, MARTIN, LAURENCE;LEVY, ROLAND, ALBERT
分类号 H01L29/78;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/285;H01L23/52 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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