| 发明名称 |
LASER A SEMICONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES LASERS A SEMICONDUCTEURS.</P><P>UN LASER A SEMICONDUCTEUR COMPORTE NOTAMMENT UNE COUCHE ACTIVE 105 INTERCALEE ENTRE DEUX COUCHES DE GAINE 104, 106 ET UNE COUCHE DE CONTACT 108. LA COUCHE DE GAINE SUPERIEURE FORME UNE NERVURE DONT LES FACES LATERALES SONT ENTERREES DANS UNE COUCHE 107 D'UN SEMICONDUCTEUR COMPOSE DU GROUPE II-VI TEL QUE ZNSE AYANT UNE RESISTIVITE TRES ELEVEE. CETTE COUCHE REDUIT CONSIDERABLEMENT LE COURANT DE FUITE DES PORTEURS INJECTES ET PROCURE DIVERSES CARACTERISTIQUES AVANTAGEUSES POUR LE LASER.</P><P>APPLICATION A L'OPTOELECTRONIQUE.</P>
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| 申请公布号 |
FR2606223(A1) |
申请公布日期 |
1988.05.06 |
| 申请号 |
FR19870014606 |
申请日期 |
1987.10.22 |
| 申请人 |
SEIKO EPSON CORP |
发明人 |
HIDEAKI IWANO;YOSHIFUMI TSUNEKAWA |
| 分类号 |
H01S5/22;H01S5/223;H01S5/323;(IPC1-7):H01S3/18;H01S3/06 |
主分类号 |
H01S5/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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