半导体元件

摘要

对一种在半导体衬底中具有各种不同掺杂层(2，3，4，5)的半导体元件进行了电气性能方面的改进，方法是用深腐蚀坑(10)局部减少载流区衬底的厚度，同时基本上保持半导体衬底原有的机械稳定性。

主权项

1、一种具有大面积半导体衬底(1)在对向配置的电极之间有多个不同掺杂层的半导体元件，其特征在于，为了改善该元件的电气性能，至少在半导体衬底(1)的一侧引入深腐蚀坑(10)，以减少半导体衬底(1)载流区的厚度。 2、如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于： （甲）半导体衬底（1）具有能通过栅极加以关断的（GTO型）半导体开关元件层系或场控制型半导体开关元件（FCTh）层系，该层系配置在阳极与阴极之间， （乙）半导体衬底（1）在阴极侧具有一栅-阴结构，该栅-阴结构按阶梯形式构成，在该结构中，多个阴极指（8）从更深配置的栅极平面突出，形成具有中介栅区的控制结构; （丙）腐蚀坑（10）配置在控制结构对向的阳极侧。