| 摘要 |
<p>Die Erfindung bezieht sich auf einen MOSFET mit einer dotierten Silizium-Sourceschicht, einer dotierten polykristallinen Silizium-Gateschicht und einer dotierten Silizium-Drainschicht und auf ein Verfahren zur Herstellung der Schichten eines derartigen Transistors. Mit zunehmender Integrationsdichte nehmen in der Halbleiterfertigung die Bauelementestrukturgrößen, insbesondere der räumliche Abstand unterschiedlich elektrisch wirkender Strukturen ab. Zwischen diesen Strukturen treten wegen des geringen Abstands Wechselwirkungen auf, die im Interesse der Transistorfunktion vermieden werden sollten. Die Aufgabenstellung wird dadurch gelöst, daß in einem MOSFET ein zusätzliches, elektrisch nicht aktives Material, vorzugsweise ein Element der vierten Hauptgruppe, in mindestens einer der Transistorschichten eingebaut ist.</p> |
