| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征为: 具有使用洗净液之半导体基板的洗净步骤,该洗净 液包含有: 氢氧化物; 水溶性有机溶剂;以及 下述一般式(I)或(II)所表示的化合物: HO-{(EO)x-(PO)y}z-H …(I) R-[{(EO)x-(PO)y}z-H]m …(II) (上式中,EO为氧化乙烯基,PO为氧化丙烯基,R为乙醇 或胺基之氢氧化基之去除氢原子之残基,或胺基酸 之去除氢原子的残基,x,y为满足x/(x+y)=0.05-0.4之整 数,z,m为正整数。)。2.如申请专利范围第1项之制 造方法,其中,前述洗净步骤所使用的洗净液,系更 包含有至少有一种巯基的有机化合物、至少有二 种氢氧化基的有机化合物、至少有各一种氢氧化 基及羟基的有机化合物之中的至少一有机化合物 。3.一种半导体装置之制造方法,其特征为: 具有使用洗净液之半导体基板的洗净步骤,该洗净 液包含有: 氢氧化物;以及 至少有一种巯基的有机化合物、至少有二种氢氧 化基的有机化合物、至少有各一种氢氧化基及羟 基的有机化合物之中的至少一种有机化合物。4. 如申请专利范围第1项之制造方法,其中,在前述半 导体基板上同时露出钨系构件及矽系构件之状态 下,施行前述洗净步骤。5.如申请专利范围第1项之 制造方法,其中,更包含有: 在前述半导体基板上积层形成绝缘膜、多晶矽膜 、阻障金属、及钨膜之步骤; 在前述钨膜上形成第1光阻图案的步骤; 将前述第1光阻图案当作罩幕,藉由乾式蚀刻处理 前述多晶矽膜、阻障金属、及钨膜以形成配线图 案的步骤;以及 用以去除前述光阻图案的步骤, 经以上之步骤之后,施行前述洗净步骤。6.如申请 专利范围第5项之制造方法,其中,更包含有: 在前述配线图案、及前述配线图案周边之前述绝 缘膜上,形成第2光阻图案的步骤; 将前述第2光阻图案当作罩幕,并对前述半导体基 板植入离子的步骤;以及 用以去除前述光阻图案的步骤, 经以上之步骤之后,施行前述洗净步骤。7.如申请 专利范围第2项之制造方法,其中,更包含有: 在前述半导体基板上形成第1绝缘膜的步骤; 在前述第1绝缘膜上形成多晶矽膜、阻障金属、及 钨膜所积层之配线图案的步骤; 在前述配线图案上形成第2绝缘膜后,在前述第2绝 缘膜上形成第1光阻图案的步骤; 将前述第1光阻图案当作罩幕,以乾式蚀刻处理形 成由前述第2绝缘膜表面至前述配线图案之连接孔 的步骤;以及 用以去除前述光阻图案的步骤, 经以上之步骤之后,施行前述洗净步骤。8.如申请 专利范围第1项之制造方法,其中,在前述半导体基 板上至少露出2种矽系构件状态下,施行前述洗净 步骤。9.如申请专利范围第2项之制造方法,其中, 更包含有: 在前述半导体基板上形成第1绝缘膜的步骤; 在前述第1绝缘膜上形成、多晶矽膜、阻障金属、 及钨膜所积层之配线图案的步骤; 在前述配线图案及前述第1绝缘膜上形成第2绝缘 膜后, 在前述第2绝缘膜上形成光阻图案的步骤; 将前述光阻图案当作罩幕,以形成由前述第2绝缘 膜表面至前述配线图案之第1连接孔、及由前述第 2绝缘膜表面至前述第1绝缘膜表面之第2连接孔的 步骤;以及 用以去除前述光阻图案的步骤, 经以上之步骤之后,施行前述洗净步骤。10.如申请 专利范围第2项之制造方法,其中,更包含有: 在前述半导体基板上形成第1绝缘膜的步骤; 在前述第1绝缘膜上形成多晶矽膜、阻障金属、及 钨膜所积层之配线图案的步骤; 在前述配线图案及前述第1绝缘膜上形成第2绝缘 膜后, 在前述第2绝缘膜上形成第3绝缘膜的步骤; 在前述第3绝缘膜上形成光阻图案的步骤; 将前述光阻图案当作罩幂,以形成由前述第3绝缘 膜表面至前述配线图案之连接孔的步骤;以及 用以去除前述光阻图案的步骤, 经以上之步骤之后,施行前述洗净步骤。11.如申请 专利范围第1项之制造方法,其中,前述洗净液所含 的氢氧化物,系氢氧化氨、四甲基氢氧化氨、氢氧 化钠、氢氧化钾中之至少一种者。12.如申请专利 范围第1项之制造方法,其中,前述洗净液所含的水 溶性有机溶剂,系醇类、酮类、酯类、酚类中之至 少一种者。13.如申请专利范围第1项之制造方法, 其中,前述洗净液所含的水溶性有机溶剂之浓度, 系为0.01-50重量%。14.如申请专利范围第2项之制造 方法,其中,前述洗净液所含的水溶性有机溶剂之 浓度,系为0.0001-5重量%。图式简单说明: 图1(a)-(c)为说明本发明实施形态1的第1半导体装置 之制造方法之断面图。 图2(a)-(c)为说明本发明实施形态1的第2半导体装置 之制造方法之断面图。 图3(a)-(c)为说明本发明实施形态2的半导体装置之 制造方法之断面图。 图4(a)、(b)为说明本发明实施形态3的半导体装置 之制造方法之断面图。 图5(a)、(b)为说明本发明实施形态4的半导体装置 之制造方法之断面图。 图6(a)、(b)为说明本发明实施形态5的半导体装置 之制造方法之断面图。 |
