FABRICATION OF SOLID-STATE DEVICES HAVING THIN DIELECTRIC LAYERS.

摘要

Certains dispositifs requièrent une couche diélectrique de haute qualité, mince (< 25 nanomètres) formée sur une couche déposée de silicium. Des applications comprennent des diélectriques de condensateur dans des mémoires dynamiques et des dispositifs linéaires. Dans une autre application, une mémoire morte programmable électriquement effaçable (EEPROM) utilise une couche de SiO2 entre la porte d'écriture et la porte flottante. La présente technique consiste à oxyder du silicium amorphe dans des conditions qui suppriment la croissance du grain pour produire un oxyde de qualité supérieure à celle obtenue avec l'oxydation conventionnelle au four du polysilicium. L'oxydation thermique rapide est une méthode pour mettre en oeuvre cette technique.