| 主权项 |
1.一种磁性记忆体装置(10),包含:具有不同矫顽磁性之第一和第二强磁层(12和14),各个强磁层具有可定向于两方向其中之一的磁化能力;及一介于该第一和该第二强磁层间之间隔体层(16);且其中该记忆体装置系为一自旋相依穿隧(SDT)接面记忆体胞元。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一层(12)具有高于该第二层(14)之矫顽磁性。3.如申请专利范围第2项之装置,其中该第一层系一资料层(12),而该第二层系一参考层(14)。4.如申请专利范围第3项之装置,其中该资料层(12)和该参考层(14)由不同强磁性材料所制成。5.如申请专利范围第1项之装置,其中两强磁层(12和14)具磁性柔软性。6.如申请专利范围第5项之装置,其中该参考层(14)呈超软性。7.如申请专利范围第1项之装置,其更包含在该第二层(14)上之一第一导体(20)、在该第一导体(20)上之一电气绝缘体(24)、以及在该绝缘体(24)上之一第二导体(22)。8.如申请专利范围第7项之装置,其更包含一与该第二层(12)接触之第三导体(18),该第三导体(18)与该第一导体(20)垂直。9.如申请专利范围第1项之装置,其更包含一与该第一层(12)接触之第一导体(18),以及一与该第二层(14)接触之第二导体(20),该等第一和第二导体(18和20)互相垂直。10.如申请专利范围第1项之装置,其中该间隔体层系一绝缘隧道障壁(16)。图式简单说明:第1图系绘示一依据本发明之磁性记忆体装置。第2图系绘示用于第1图中磁性记忆体装置的资料和参考层之磁滞回路。第3图绘示在第1图所示磁性记忆体装置上实施读取操作之第一种方法。第4a和4b图绘示对应第一种方法之装置磁化定向。第5图绘示在第1图所示磁性记忆体装置上实施读取操作之第二种方法。第6a至6e及第7a至7e图更进一步绘示第二种方法。第8图绘示实施第二种方法之电路。第9a和9b图为第8图中所示电路之时序图。第10图绘示一种依据本发明之MRAM装置。第11图绘示另一种依据本发明之MRAM装置。第12图绘示在读取期间的另一种MRAM装置。第13a、13b以及第14至17图绘示依据本发明之MRAM装置的不同金属导体。第18a和18b图绘示一依据本发明之磁性记忆体装置之合成强磁参考层。第19图绘示一合成强磁参考层之个别强磁层的磁滞回路。第20图绘示合成强磁参考层之磁滞回路。 |
