发明名称 电晶体及记忆胞元阵列
摘要 一形成在一具有一顶部表面之半导体基板之中的电晶体系包括,第一以及第二源极/汲极区域,一连接该第一以及第二源极/汲极区域的通道,一用以控制在该通道中流动之一电流的闸极电极,其中,该闸极电极系设置于一闸极沟槽其定义于该半导体基板之该顶部表面之中的一下部沟槽部分之中,且该沟槽的上部沟槽部分乃会被填以一绝缘材质,再者,该通道系会包括一山脊状的一类鳍状部分,且该山脊系具有一顶侧以及二侧向侧边,而其剖面则是会垂直于一连接该第一以及第二源极/汲极区域的线所定义的一方向,此外,该闸极电极乃会包围该通道的该顶侧以及该二侧向侧边。
申请公布号 TW200814318 申请公布日期 2008.03.16
申请号 TW096130793 申请日期 2007.08.20
申请人 奇梦达股份有限公司 发明人 提尔 施勒塞尔
分类号 H01L29/78(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8242(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 德国