| 发明名称 | 形成一半导体元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件，像是P通道金属－氧化物－半导体场效应电晶体或N通道金属－氧化物－半导体场效应电晶体，其具有应变通道区域，借由形成一栅极堆叠后，在源极区域及漏极区域形成凹进区来形成此半导体元件。接着，去除此栅极堆叠下的基板，然后，在此栅极堆叠下的源极区域及漏极区域中形成一磊晶层。在源极区域及漏极区域中的此磊晶层可被掺杂。在一实施例中，在此栅极堆叠下的磊晶层较低的部份被掺杂，其传导类型与源极区域及漏极区域的传导类型相反。在另一实施例中，此磊晶层未被掺杂。 | ||
| 申请公布号 | CN101378022A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200810006858.3 | 申请日期 | 2008.02.01 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 游明华;黄泰钧 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种形成一半导体元件的方法，其特征在于该方法包含:提供一基板；形成一栅极介电质于该基板上；形成一栅极电极于该栅极介电质上；弄凹该基板于该栅极电极的反面的下方，借此形成一凹部；以及磊晶成长一磊晶层于该凹部中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||